密度媲美10nm SRAM:CEA-Leti开发22nm FeRAM关键电容技术 IT之家6月21日消息,法国原子能委员会电子与信息技术实验室(CEA-Leti)当地时间本月15日宣布,该机构在IEEE VLSI 2026研讨会上展示了一项FeRAM。 [原文链接] 上一篇:八位堂街机摇杆 V3 新增紫色版:三模连接,到手 439 元 下一篇:华为官网发布鸿蒙 HarmonyOS 7 (API 26) 新能力一览:空间化设计、新增多形态服务窗口等 发表回复 您的邮箱地址不会被公开。 必填项已用 * 标注*昵称: *邮箱: 网址: 记住昵称、邮箱和网址,下次评论免输入 提交 Δ