美光预告 G11 NAND:超 400 层堆叠,双倍密度,2027H2 产能爬坡 IT之家 10 月 22 日消息,Micron(美光)当地时间昨日举行了 2026 年度技术网络研讨会,对 DRAM、泛 HBM、NAND 与 SSD 进行了展望,本篇关注闪存类别。 [原文链接] Previous: 微软给 8GB 内存电脑“减负”:Win11 26H2 开机少占约 1.7GB 内存 Next: 72 岁格力电器董事长董明珠称被学生喊奶奶很不开心:人的价值不用年龄来衡量,是精神来衡量 Leave a Reply Your email address will not be published. Required fields are marked **Name: *Email: Website: Save my name, email, and website in this browser for the next time I comment. Submit Δ